Patrząc na pamięć, istnieje kilka specyfikacji, których nie rozumiem i miałem nadzieję na wyjaśnienie. Co oznaczają te terminy i jak wpływają one na wydajność systemów? Podaj dane techniczne i odpowiedzi na nie, ale nie są one specyficzne dla specyfikacji, które wymienię jako przykład poniżej.
Odpowiedzi:
Liczby są w MHz i reprezentują częstotliwość sygnału zegarowego, przy którym działa pamięć RAM (x2 dla pamięci DDR RAM, więc DDR2-800 działa z częstotliwością 400 MHz). DDR oznacza „podwójną szybkość przesyłania danych”, co oznacza, że przesyła dane zarówno na rosnących, jak i opadających zboczach sygnału (zamiast po prostu włączania i wyłączania sygnału). Tak więc, na przykład, DDR daje efekt 800 MHz, podczas gdy w rzeczywistości wciąż pozostaje przy 400 MHz. DDR2 i DDR3 są wersjami zastępującymi specyfikację DDR. (tj .: DDR3 to „typ trzy szybkości danych podwójnych”).
Czasy pamięci (lub czasy RAM) odnoszą się łącznie do zestawu czterech parametrów numerycznych zwanych CL, tRCD, tRP i tRAS, powszechnie reprezentowanych jako seria czterech liczb oddzielonych myślnikami, w odpowiedniej kolejności (np. 5-5-5- 15). Jednak nie jest niczym niezwykłym pominięcie tRAS lub dodanie piątej wartości wskaźnika Dowodzenia (z Wikipedii ).
Opóźnienie CAS to opóźnienie w cyklach zegarowych między wysłaniem polecenia CZYTAJ a momentem, w którym pierwsza część danych jest dostępna na wyjściach.
Adres wiersza do opóźnienia adresu kolumny - tRCD to liczba cykli zegara wykonanych między wydaniem aktywnego polecenia a poleceniem odczytu / zapisu. W tym czasie wewnętrzny sygnał rzędu ustala się wystarczająco, aby czujnik ładunku go wzmocnił.
Czas wstępnego ładowania rzędu - tRP jest liczbą cykli zegara wykonanych między wydaniem polecenia wstępnego ładowania a aktywnym poleceniem. W tym czasie wzmacniacze sensowne ładują się i bank jest aktywowany.
Czas aktywności rzędu - tRAS to liczba cykli zegara wykonanych między aktywnym poleceniem banku a wydaniem polecenia wstępnego ładowania.
Zobacz tutaj, aby uzyskać więcej informacji na temat tych i innych elementów synchronizacji pamięci RAM.
Podane napięcie jest minimalnym / zalecanym napięciem wymaganym do zasilania modułu RAM. Za mało i nie może zasilać modułu zbyt mocno i możesz uszkodzić różne układy w module.
Te „zestawy” to po prostu wiele pojedynczych, podobnych (identycznych jak to możliwe) modułów RAM spakowanych razem. Intencją (obecnie) jest, aby były używane w płytach głównych z podwójnym i potrójnym (itd.) Kanałem RAM. IE: ponieważ potrzebujesz 2 drążków, aby zrobić dwukanałowy, a który stał się standardem / regularnością dla nowych systemów jakiś czas temu (przed potrójnym kanałem, quadem itp.), Producenci pamięci zaczęli promować swoje istniejące „zestawy” jako „wielokanałowe” zestawy ”.
Wcześniej zestawy były sprzedawane głównie po to, aby nieco obniżyć cenę przy zakupie wielu modułów (tj .: Dwa moduły 1 GB w „zestawie 2 GB” są tańsze niż kupowanie dwóch pojedynczych modułów 1 GB tego samego modelu).
Pierwsza część to rodzaj pamięci. DDR2 to Double Data Rate 2. Druga to prędkość w MHz, przy której działa pamięć, ogólnie im szybciej, tym lepiej (do punktu)
Liczby to liczba cykli oczekiwania, które muszą wystąpić między różnymi operacjami pamięci. Im niższa, tym lepiej ( głębiej ).
Napięcie, na które działa pamięć. W większości przypadków jest to tylko przykład, ale niektóre systemy wymagają pewnej pamięci napięcia. Na przykład nowe układy Intel Core I wymagają niższego napięcia (1,5 V Iirc) niż starsze układy Core 2.
Pamięć jest sprzedawana albo przez pojedynczy moduł (pamięć), albo w zestawach do płyt głównych z wieloma kanałami pamięci. Większość obecnych płyt ma podwójne z gniazdem Intel 1336 ma potrójny kanał. Wszystko, co robi, to upewnienie się, że otrzymujesz dwa dokładnie takie same moduły pamięci (ta sama prędkość, czasy i rozmiar), które są wymagane do wielokanałowej pamięci RAM.