Dlaczego połączenia bezpieczników w programowalnej pamięci ROM nie powodują zwarcia całej matrycy?

Jeśli uzasadnieniem stosowania diod w pamięci ROM (zamiast zwykłych drutów) jest zapobieganie zwarciu macierzy razem, to dlaczego nie występuje zwarcie w programowalnej pamięci ROM - która ma przepuszczalne połączenia bezpieczników?

Przepraszam, jeśli nie powinienem zaczynać nowego wątku; proszę zauważyć, że pytanie jest inspirowane odpowiedzią tutaj. Jakie jest uzasadnienie użycia matrycy diodowej w pamięci ROM , ale nie mam wystarczającego „rep”, aby skomentować moje pytanie.

Programowalna pamięć ROM nie jest prostą przewodową macierzą XY, z bezpiecznikami na każdym skrzyżowaniu. To by nie działało z powodów, które podajesz.

Zazwyczaj tranzystory są używane na każdym skrzyżowaniu, tak jak to.

Zdjęcie z tego miejsca , które warto odwiedzić, jeśli interesują Cię inne typy ROM.

Koncepcyjnie, coś tak prostego jak dioda połączona szeregowo z każdym bezpiecznikiem służyłoby zarówno do odczytu, jak i wyboru odpowiedniego bezpiecznika do przepalenia. Istnieje jednak duży rozwój i technologia między podstawowym pomysłem a produktem komercyjnym. Co ciekawe, wiele bezpieczników ROM używa „anty-bezpieczników”. W prawidłowym procesie wysokie napięcie może przebić warstwę dielektryczną kondensatora i spowodować, że zwarcie będzie bardziej niezawodne i tanie niż w przypadku wysokiego prądu, który może otworzyć bezpiecznik.