Jaka jest różnica między sterowaniem bramką MOSFET a bramką IGBT?

Czy mogę używać odpowiedniego sterownika bramki IGBT do sterowania MOSFET i odwrotnie? Które parametry (próg, plateau i włączanie napięcia znamionowego, pojemność bramki itp.) Muszą być takie same, aby zapewnić tę kompatybilność? Jakie są zasadnicze różnice między prowadzeniem tych dwóch różnych rodzajów bram?

Czasami...

Zakładając, że przedmiotem zainteresowania są MOSFETY mocy, a nie MOSFETY sygnałów małych i krzemu (w przeciwieństwie do SiC, GaN)

Pierwszą cechą do sprawdzenia jest napięcie wyjściowe. W przypadku urządzeń zasilających powinny one wynosić od 0 V do 12-15 V (acpl-312T), aby zaspokoić progi bramkowe około 4 V (a także być w stanie jechać do -15 V, jeśli problemem jest włączenie frezera). Jako taki kierowca MOSFET prowadzący IGBT i tak samo kierowca IGBT prowadzący MOSFET powinien być w porządku.

Następną cechą jest prąd szczytowy. IGBT będą miały znacznie większą pojemność bramki i jako takie będą wymagały wyższych prądów szczytowych, aby zapewnić jak najszybsze nasycenie urządzenia. Odwrotnie, MOSFET-y mogą być przełączane szybciej, a zatem zapotrzebowanie na prąd RMS do sterowania MOSFET-em może być wyższe.

Wyższy prąd lub wyższa częstotliwość przełączania wpływa na zdolność zasilania sterownika.

odpowiedni sterownik bramki IGBT

A kluczem do twojego pytania jest „odpowiednie”.

Krótka odpowiedź brzmi: tak, możesz.

IGBT łączy izolowany FET dla wejścia sterującego i bipolarny tranzystor mocy jako przełącznik w jednym urządzeniu (wikipedia).

Twoje pytanie zawiera już odpowiednie uwagi, „próg, plateau i włącz napięcie znamionowe, pojemność bramki itp.”

Należy pamiętać, że niektóre sterowniki IGBT zawierają również ujemne napięcie wyłączające (dla szybszego przełączania)

Poniższe informacje pochodzą z International Rectifier

Z natury ani MOSFET, ani IGBT nie wymagają negatywnego nastawienia na bramce. Ustawienie napięcia bramki na zero przy wyłączaniu zapewnia prawidłowe działanie i praktycznie zapewnia ujemne odchylenie w stosunku do napięcia progowego urządzenia. Ujemne obciążenie bramki nie wpływa znacząco na szybkość przełączania, w przeciwieństwie do tranzystora bipolarnego. Istnieją jednak okoliczności, w których konieczny jest napęd bramki ujemnej:

• Producent półprzewodników określa ujemne obciążenie bramki dla urządzenia
• Gdy napięcie bramki nie może być bezpiecznie utrzymywane poniżej napięcia progowego z powodu hałasu wytwarzanego w obwodzie. Chociaż będą się nawiązywać do tranzystorów IGBT, zawarte informacje dotyczą również tranzystorów MOSFET.