Określ szybkość przełączania MOSFET


11

Jak mogę określić prędkość przełączania MOSFET-a, biorąc pod uwagę Qg (ładunek bramki), Vgs (napięcie złącza GS) i rezystor bramki? Jak określić wymaganą wartość rezystora bramkowego?

Odpowiedzi:


11

Z punktu widzenia obwodu sterującego brama wygląda jak kondensator do źródła. W rzeczywistości ma również pewną pojemność do odpływu, ale zostało to uwzględnione w wartości całkowitego ładunku bramki. Wiesz, jakie napięcie musi zmienić brama i ładunek, który należy przekazać, aby to osiągnąć. Stamtąd można łatwo obliczyć równoważną pojemność: Farads = Couloumbs / Volt. Po uzyskaniu pojemności, stała czasowa R * C daje pewne pojęcie o tym, jak szybko brama będzie się obracać, biorąc pod uwagę krok wejściowy po drugiej stronie rezystora bramkowego. Na przykład osiągnięcie 90% końcowego napięcia bramki zajmuje 2,3 stałej czasowej.

Kiedy FET faktycznie „przełącza się”, jest trudniejsze. FET nie przejdzie nagle z pełnego wyłączenia do pełnego włączenia przy określonym napięciu bramki, ale istnieje napięcie bramki, przy którym niewielka zmiana przyrostowa spowoduje największą różnicę w charakterystyce wyjścia FET. Musisz zdecydować, jak naprawdę pełne i jak „pełne” wyłączenie oznacza, a następnie zdecydować, jaki zakres napięcia bramki reprezentuje. Następnie możesz użyć równoważnego modelu RC, aby zdecydować, jak szybko wejście krokowe spowoduje przesunięcie go w tym regionie. Na przykład, jeśli zdecydujesz, że większość przełączeń ma miejsce między 20% a 80% napięcia bramki, to będzie to 1,4 stałych czasowych.


Świetna odpowiedź, dziękuję. Dlaczego nie należy używać rezystora bramkowego o zerowej rezystancji?
Dor

1
Olin: to nie do końca prawda; pojemność bramki zmienia się nieliniowo z napięciem i jest bardzo trudna do obliczenia.
Jason S

3
@Jason: Tak, rzeczywista pojemność zależy od warunków, ale producent podaje najgorszy przypadek. Powinienem był to wyjaśnić.
Olin Lathrop,

11

Większa część przełączania ma miejsce, gdy plateau napięcia bramki przy napięciu progowym Vgsth, w którym to momencie napięcie drenażu szybko spada, a tak zwany efekt Millera utrzymuje próg tam, aż drenaż osiągnie minimum:

wprowadź opis zdjęcia tutaj

(od https://web.archive.org/web/20120324165247/http://www.ti.com/lit/ml/slup097/slup097.pdf )

Na przykład, powiedzmy, że masz IRL540N , którym jeździsz ze źródłem 5 V o rezystancji szeregowej 100 omów.

Wartość progowa bramki wynosi od 1 do 2 V. Oznacza to, że prąd ładowania bramki wynosiłby 30–40 mA. Całkowity ładunek bramki jest określony w <74nC, więc mówisz o maksymalnym czasie przełączania t = Qmax / Imin = 74nC / 30mA = 2,47usec.

Dlaczego nie należy używać rezystora bramkowego o zerowej rezystancji?

Kilka powodów:

  • pasożytnicza indukcyjność źródła w MOSFET-ie może powodować oscylacje o wysokiej częstotliwości lub przynajmniej bardzo słabo skręcony

  • Zasadniczo chcesz odpowiednio dostosować czas włączenia ze względu na zakłócenia elektromagnetyczne.

  • W napędzie bramkowym z pół mostem zwykle stosuje się diodę równolegle z rezystorem włączającym, dzięki czemu wyłączenie jest szybkie, ale włączenie jest powolne. W przeciwnym razie możesz uzyskać zastrzyk z powodów wykraczających poza zakres tego postu. (Jeśli będę miał czas, napiszę o tym wpis na blogu i opublikuję link do niego).


1
Świetna i szczegółowa odpowiedź, dziękuję. „Jeśli będę miał czas, napiszę o tym wpis na blogu i opublikuję link do niego” - na pewno :). Jedno - dlaczego prąd ładowania bramki wynosi 30-40 mA? Dlaczego nie 5v / 100ohm = 50mA?
Dor

1
ponieważ I = (Vs = 5 V - Vgate) / R i przez większość czasu brama znajduje się przy Vgsth = 1-2 V.
Jason S

(1) OK, ale dlaczego chcesz sterować źródłem? Dlaczego nie doprowadzić do drenażu, który jest bardziej powszechny? (2) Jak widać na wykresach, Vgs = Vgsth na chwilę, ale nadal rośnie do przyłożonego napięcia Vgs (które jest wyższe). Pozostaje tam, aż Vds wyniesie zero. Czego tu brakuje? : s
Dor

nie chcesz sterować źródłem MOSFET, chcesz sterować Vg za pomocą źródła napięcia (nie mylić z pinem źródła MOSFET) za pośrednictwem rezystora szeregowego.
Jason S

@JasonS Link do notatki z TI, slup097 jest martwy. Chcesz udostępnić zaktualizowane źródło? Nie mogę tego znaleźć.
Kyle Hunter
Korzystając z naszej strony potwierdzasz, że przeczytałeś(-aś) i rozumiesz nasze zasady używania plików cookie i zasady ochrony prywatności.
Licensed under cc by-sa 3.0 with attribution required.