Polaryzacja źródło a odpływ dla MOSFETÓW

Kiedy używam MOSTEFS jako przełącznika, zawsze widzę dren podłączony do wyższego potencjału, a obciążenie i Źródło są zawsze podłączone do ziemi. Czy możesz je przełączyć tak, aby pin źródła łączył się z większym potencjałem, a dren był podłączony do ziemi?

Aby wyjaśnić nieco to, co już powiedzieli inni, MOSFET ma wewnętrzną diodę, która wskazuje od źródła do odpływu w urządzeniach z kanałem N i odpływu do źródła w urządzeniach z kanałem P. Producent nie dodaje tego celowo, ale jest produktem ubocznym sposobu wytwarzania tranzystorów MOSFET. Przez większość czasu ta dioda uniemożliwiałaby użycie MOSFET-a po odwróceniu. Istnieje kilka aplikacji, które można uznać za „zaawansowane”, w których ta dioda jest rzeczywiście używana celowo. Jednym z przykładów jest wykonanie synchronicznego prostownika. Zasadniczo jest to dioda z tranzystorem. Tranzystor jest włączany, gdy wiadomo, że dioda powinna przewodzić. Obniża to spadek napięcia na diodzie i czasami jest wykorzystywany do przełączania zasilaczy w celu uzyskania nieco większej wydajności.

Twoja obserwacja źródła jest ujemna, a drenaż dodatnia jest prawdziwa dla FET kanału N. Podobnie jak istnieją tranzystory bipolarne NPN i PNP, istnieją tranzystory polowe w kanale N i kanale P, które są lustrzanymi odbiciami dla siebie nawzajem. Kanał AP FET byłby połączony z dodatnim źródłem i ujemnym drenażem. W stanie wyłączonym brama jest utrzymywana przy napięciu źródłowym. Aby go włączyć, brama jest obniżona o 12-15 V w stosunku do źródła dla większości normalnych MOSFETÓW.

Jeśli potrzebujesz obciążenia odniesionego do podłoża, możesz użyć MOSFET kanału P. Będzie to lustrzane odbicie opisywanego obwodu, tj. Ze źródłem podłączonym do wyższego napięcia i drenem podłączonym do 0 V poprzez obciążenie. Jednak napęd bramy będzie musiał zostać odwrócony i będzie musiał znajdować się blisko wyższego napięcia, aby wyłączyć obciążenie.

Mosfet to tak naprawdę urządzenie z czterema terminalami. Odpływ, źródło, brama i ciało.

W przypadku mosfetu z kanałem N układy domieszkowania dają diody, które umożliwiają przepływ prądu z ciała do drenu i z ciała do źródła.

Jeśli masz mosfet z osobnymi wszystkimi czterema terminalami, wówczas istnieje symetria między drenażem a źródłem. Pod warunkiem, że ciało jest utrzymywane na potencjale, który jest mniejszy lub równy zarówno napięciu drenującemu, jak i źródłowemu, można wykorzystać mosfet do przełączania prądów w obu kierunkach.

Jednak większość dyskretnych mosfetów ma ciało wewnętrznie podłączone do źródła, które skutecznie umieszcza diodę ze źródła do drenu. Zatem mosfet może blokować przepływ prądu tylko w jednym kierunku.

Problemem jest wewnętrzna dioda, która zawsze będzie przewodzić w kierunku odwrotnym ze spadkiem 0,7V, więc kiedy włączysz MOSFET, obniżysz ten spadek do 0V i to wszystko.

Możesz to zrobić, jeśli Twoja aplikacja poradzi sobie z diodą odwróconego ciała - może to być przydatne, na przykład ochrona przed odwrotną polaryzacją przy niskim spadku napięcia.