Jaki wpływ ma sterylizacja promieniowaniem gamma na wbudowane urządzenia elektroniczne

Właśnie otrzymaliśmy 3 urządzenia, które mogły zostać przypadkowo poddane procesowi sterylizacji promieniowaniem gamma. Sprzęt jest wbudowanym urządzeniem o niskiej mocy składającym się z 16-bitowego mikrokontrolera z peryferyjną pamięcią FLASH i SRAM wspartym baterią litową. Sprzęt wydaje się całkowicie martwy.

Jakie potencjalne skutki miałoby promieniowanie gamma na urządzenia wbudowane? Uszkodzenie pamięci FLASH? Degradacja obwodu? Awaria elementu?

Więcej informacji:

Sprzęt to trzy produkowane przez nas przyrządy nefelometryczne, które wykorzystują dość drogi rejestrator COTS jako mózg. Instrumenty zostały odesłane z zagranicy wraz z próbkami osadów. Służba celna / kwarantanna zdecydowała, że ​​chcą wysterylizować próbki osadów, i myślę, że musieli również poddać instrumenty.

Prognozy prawdopodobnie nie są zbyt błyskotliwe [jęk].

W zależności od energii promieniowania, śmierć urządzenia waha się od możliwej do zasadniczo pewnej.

Możesz potencjalnie oczekiwać wszystkich opisanych efektów.
Nawet jeśli najwyraźniej nadal działa, możesz uzyskać zwiększone prądy upływowe i „ogólne nieszczęście”.

Jakie było źródło gamma? jaka energia ?, jaką odległość? Dlaczego?

Uszkodzenie radiacyjne w elektronicznych urządzeniach pamięci PDF
HTML
mówi:

... Uzyskane wyniki pokazują, że promieniowanie gamma powoduje obniżenie napięcia progowego, proporcjonalne do pochłoniętej dawki promieniowania.

EPROM i EEPROM: ... Promieniowanie gamma powoduje generowanie par elektron-dziura w izolatorze SiO2 bramki. Liczba generowanych par jest wprost proporcjonalna do energii zdeponowanej w materiale, w zależności od całkowitej pochłoniętej dawki promieniowania [8, 14]. ...

Wniosek

... Na podstawie analizy danych zebranych z przeprowadzonych eksperymentów ekspozycja pamięci półprzewodnikowych na promieniowanie gamma powoduje trzy efekty: uchwycenie dziur w miejscach uwięzienia tlenku, wstrzyknięcie dziur z tlenku do FG i emisja elektronów przez FG- interfejs tlenkowy.

Generowanie par elektron-dziura prowadzi do wychwytywania dodatnio naładowanych nośników (dziur) w izolatorze, powodując ujemne przesunięcie właściwości. Mianowicie, dodatnio naładowane nośniki indukowane promieniowaniem gamma wymagają wzrostu ujemnego napięcia bramki, aby skompensować ładunek dodatni. Oznacza to, że promieniowanie gamma powoduje obniżenie napięcia progowego, proporcjonalne do pochłoniętej dawki promieniowania.

NASA - Żetony w kosmosie